Transistors unipolaires à canal P

Les transistors unipolaires à canal P, également appelés PMOS, sont des dispositifs à effet de champ qui exploitent les porteurs majoritaires de type trous pour réaliser la commutation et l'amplification dans divers circuits électroniques. Complémentaires aux transistors à canal N, ils sont essentiels dans les architectures CMOS, permettant de réduire la consommation d'énergie tout en offrant une commutation rapide et fiable. Leur fonctionnement repose sur la modulation de la conductivité d'un canal de type P par l'application d'une tension sur la grille. Lorsque la tension source-grille (VSGV_{SG}VSG) dépasse la valeur absolue de la tension de seuil (∣Vth∣|V_{th}|Vth), le transistor entre en conduction, et le courant drain-source (IDI_DID) en région de saturation peut être exprimé par la formule suivante :

ID=12μp CoxWL (∣VSG∣−∣Vth∣)2I_D = \frac{1}{2}\mu_p\,C_{ox}\frac{W}{L}\,(|V_{SG}| - |V_{th}|)^2ID=21μpCoxLW(VSGVth)2

  • μp\mu_pμp est la mobilité des trous,
  • CoxC_{ox}Cox est la capacitance de l'oxyde par unité de surface,
  • WWW et LLL représentent respectivement la largeur et la longueur du canal.

Ces transistors se distinguent par leur faible consommation, leur stabilité thermique et leur capacité à assurer une amplification précise dans des applications allant de l'électronique grand public aux systèmes embarqués industriels. En intégrant des transistors unipolaires à canal P de haute qualité dans vos circuits, vous garantissez performance, fiabilité et efficacité énergétique optimale.