Transistors unipolaires à canal N

Les transistors unipolaires à canal N sont des dispositifs à effet de champ qui exploitent exclusivement les électrons comme porteurs majoritaires pour assurer la commutation et l’amplification dans divers circuits électroniques. Typiquement réalisés sous la forme de MOSFET à canal N, ces transistors se distinguent par leur faible résistance à l’état passant et leur rapidité de commutation, ce qui en fait des composants incontournables dans les applications de puissance, les amplificateurs et les circuits logiques. Leur fonctionnement repose sur la modulation de la conductivité d’un canal de type N, contrôlée par la tension appliquée sur la grille par rapport à la source. En régime de saturation, le courant drain-source est souvent décrit par la formule :

ID=12μnCoxWL (VGS−Vth)2I_D = \frac{1}{2} \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} \, (V_{GS} - V_{th})^2ID=21μnCoxLW(VGSVth)2

  • μn\mu_nμn représente la mobilité des électrons,
  • CoxC_{ox}Cox est la capacitance de l'oxyde par unité de surface,
  • WWW et LLL désignent respectivement la largeur et la longueur du canal,
  • VGSV_{GS}VGS est la tension grille-source,
  • VthV_{th}Vth correspond à la tension de seuil.

En intégrant des transistors unipolaires à canal N de haute qualité dans vos circuits, vous bénéficiez d’une performance énergétique optimisée et d’une commutation rapide, essentielle pour des applications exigeantes en termes de puissance et de fréquence.